[发明专利]近红外响应增强的叠层复合GaAs基光电阴极及其制备方法在审
| 申请号： | 202110694309.5 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113690119A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 张益军;王自衡;李姗;李诗曼;詹晶晶;张锴珉;钱芸生 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01J29/04 | 分类号： | H01J29/04;H01J9/12 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 岑丹 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种近红外响应增强的叠层复合GaAs基光电阴极及其制备方法。该光电阴极包括自下而上设置的衬底、GaAs缓冲层、In |
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| 搜索关键词： | 红外 响应 增强 复合 gaas 光电 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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