[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜波导的高耦合效率的非均匀光栅耦合器在审
| 申请号： | 202110691342.2 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113534342A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 杨登才;宋紫禁;王云新;向美华;李颖;李德阳 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于铌酸锂薄膜波导的高耦合效率的非均匀光栅耦合器，属于集成光学领域和半导体领域，具体是一种基于LNOI平台的高耦合效率的非均匀分段光栅耦合器。该光栅耦合器包括：绝缘铌酸锂薄膜上的光子芯片以及设置于其上方的光纤。绝缘铌酸锂薄膜上的光子芯片自上而下依次包括：波导耦合光栅、铌酸锂薄膜层、SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 铌酸锂 薄膜 波导 耦合 效率 均匀 光栅 耦合器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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