[发明专利]微腔-氧化钼声学型双曲声子极化激元器件及其制备方法和应用有效
申请号: | 202110676247.5 | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN113504197B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 戴庆;郭相东;杨晓霞;吕蔚;吴晨晨 | 申请(专利权)人: | 国家纳米科学中心 |
主分类号: | G01N21/35 | 分类号: | G01N21/35;G01N21/3563 |
代理公司: | 北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11521 | 代理人: | 刘丹妮 |
地址: | 100190 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明提供一种金属微腔‑氧化钼声学型双曲声子极化激元器件,包括自下而上依次设置的基底、金属层、微腔空气层,待检测物质以及氧化钼薄膜;金属层沉积在基底上,在金层上加工具有阵列性的凹槽微腔结构,氧化钼薄膜覆盖金层上,处于凹槽微腔上的氧化钼薄膜呈悬空状态。还提供了其制备方法和应用。相对于其它利用红外光谱探测物质的传感器件结构,本发明可实现极强的光场束缚(模式体积V |
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搜索关键词: | 微腔 氧化钼 声学 型双曲声子 极化 元器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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