[发明专利]一种高低频兼顾的介质型周期结构有效
申请号: | 202110675455.3 | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN113506993B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 陆海鹏;张珊;朱亚光;温开怀;蔡长旭;王蕾;王帅;陈海燕;邓龙江 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01Q15/00 | 分类号: | H01Q15/00;H05K9/00 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 闫树平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于电磁波吸收材料领域以及超材料领域,具体涉及一种高低频兼顾的介质型周期结构。本发明仅利用磁性材料进行设计实现了高低频兼顾,通过加载顶层金属图案层与磁性材料产生谐振实现低频吸收,并且通过挖环拓宽高频性能。顶层金属图案层可调且位置可移动,通过调节可以使其在P‑S波段产生低频谐振吸收,可在1.4GHz产生‑12dB的吸收,其厚度不足低频吸收频点的1/107λ;高频性能可通过调节环的形状以及尺寸,使其在3.6GHz‑15GHz内产生高频宽带吸收。本发明结构设计更加灵活适用范围更广,且工艺相对简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 低频 兼顾 介质 周期 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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