[发明专利]生成式对抗网络驱动的硅锗超晶格发光新材料开发技术在审
| 申请号： | 202110668704.6 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113421621A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 刘元杰;林建涵 | 申请（专利权）人： | 中国农业大学 |
| 主分类号： | G16C60/00 | 分类号： | G16C60/00;G06F30/27;G06N3/04;G06N3/08;G06F113/26 |
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| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生成式对抗网络驱动的硅锗超晶格发光新材料开发技术，所述方法包括：使用第一性原理计算产生不同排列方式硅锗超晶格能带结构数据；构造生成式对抗网络，对超晶格对应能带结构的映射关系进行建模；使用模拟计算生成的样本及少量实验数据构造训练数据集；对生成式对抗网络中的生成模型和判别模型进行交错联合训练；使用生成模型对不同排列方式的硅锗超晶格材料体系进行搜索，选择具有最优发光性能的结构；使用该方法获得的生成模型能够以远高于第一性原理计算的速度对硅锗超晶格能带结构进行分析；可以实现大范围的材料结构搜索，指导新型硅锗发光材料的开发。 | ||
| 搜索关键词： | 生成 对抗 网络 驱动 硅锗超 晶格 发光 新材料 开发 技术 | ||
【主权项】：
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