[发明专利]一种Zr-B-O-N薄膜、Cu互连结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110667577.8 申请日: 2021-06-16
公开(公告)号: CN113403597A 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 孟瑜;宋忠孝;李雁淮;宋宝睿 申请(专利权)人: 西安交通大学;西安交通大学苏州研究院
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/18;C23C14/06;C23C14/58;H01L23/538;H01L21/768
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 马贵香
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供一种Zr‑B‑O‑N薄膜、Cu互连体及其制备方法,以ZrB2复合靶为靶材,在N2和Ar混合气氛下进行反应磁控溅射,在基底上沉积得到Zr‑B‑O‑N薄膜在所述的Zr‑B‑O‑N薄膜上沉积Cu层得到Cu互连结构。本发明得到的Zr‑B‑O‑N薄膜为非晶结构,具有扩散阻挡性能,能解决Cu互连结构中Cu扩散的问题。
搜索关键词: 一种 zr 薄膜 cu 互连 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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