[发明专利]一种基于三维微结构降低二次电子发射的方法有效
| 申请号： | 202110662115.7 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113506968B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 李韵;谢贵柏;苗光辉;王君峰;李小军;李斌 | 申请（专利权）人： | 西安空间无线电技术研究所 |
| 主分类号： | H01P3/16 | 分类号： | H01P3/16;H01P11/00;B22F10/20;B33Y10/00 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 臧春喜 |
| 地址： | 710100 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于三维微结构降低二次电子发射的方法，包括：确定微波部件中沿电磁场传输通道方向的待降低二次电子发射表面；确定三维深度微结构加载区域；采用金属丝构成相交且尾端位于同一平面上的簇形结构；将簇形结构周期性首尾相连，两两编织，构成微结构单元；采用3D打印工艺，在三维深度微结构加载区域逐层加工制备微结构单元，形成三维深度微结构。本发明通过三维堆叠金属丝材料，在空间中形成三维深度微结构，实现二次电子发射的强抑制；同时在电磁场传输通道中控制微结构单元的表面投影尺寸大小，最小化对电性能的影响，最终实现不影响电性能的二次电子发射强抑制的三维深度微结构，具有物理结构稳定、与器件结合度优异等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 三维 微结构 降低 二次电子 发射 方法 | ||
【主权项】：
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