[发明专利]气隙式FBAR在审
| 申请号： | 202110661577.7 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN115085689A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 金炳宪;高庸熏 | 申请（专利权）人： | 天津威盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的气隙式膜体声谐振器(FBAR)可以包括：基板，其上表面上包括气隙部；下电极，其形成在基板上；压电层，其形成在下电极上；上电极，其形成在压电层上；保护层，其形成在上电极上；以及梁结构，其从上电极的一侧以拱形延伸，以限定上电极与压电层之间的空间部，其中，梁结构的一端与压电层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 气隙式 fbar | ||
【主权项】：
暂无信息
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