[发明专利]一种高热电功率因子碲化锗薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202110660414.7 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113388803B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 邓元;魏锋;赵未昀 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学杭州创新研究院 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58;H10N10/852;H10N10/855 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 白晓菲 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种高热电功率因子碲化锗薄膜的制备方法，通过先对衬底进行等离子体清洗，再对清洗后的衬底升温，之后在衬底上沉积得到碲化锗薄膜，最后对所述碲化锗薄膜进行高真空原位退火处理，最终制备得到p型α‑GeTe薄膜，厚度为250nm‑3μm，XRD表明室温下为单相的α‑GeTe，323K‑673K间的热电性能测量表明，最大电阻率在10μΩm以下，最大塞贝克系数在160μV/K以上，最大热电功率因子在35μW/cmK |
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| 搜索关键词： | 一种 高热 电功率 因子 碲化锗 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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