[发明专利]一种基于双层光刻胶的光刻方法在审
| 申请号： | 202110653553.7 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN115469511A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 高艺佼 | 申请（专利权）人： | 上海微起光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20;G03F7/30 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 蒋亮珠 |
| 地址： | 201805 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于双层光刻胶的光刻方法，该方法包括以下步骤：(1)在基底上涂抹一层正性光刻胶，并烘干；再在正性光刻胶上涂抹一层负性光刻胶，并烘干；(2)在曝光光源下，透过载有模板图案的光刻掩膜版或者通过聚焦光源直写，对两层光刻胶进行单次曝光，然后进行烘干；(3)用负胶显影液对负性光刻胶进行显影；(4)用正胶显影液对正性光刻胶进行可控显影；(5)通过材料沉积技术或者刻蚀技术，将轮廓线图案转移到基底材料上；(6)去除光刻胶。与现有单次曝光的光刻技术相比，本发明方法简单，通过图案轮廓化，实现比传统技术更高小的线宽，该方法可广泛应用于半导体工艺，并具有广泛研究和应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 双层 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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