[发明专利]一种晶片清洗方法及系统有效
| 申请号： | 202110653070.7 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113441453B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 解华林 | 申请（专利权）人： | 湖南国创同芯科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/02 | 分类号： | B08B3/02;B08B3/12;B08B11/00;B08B11/02;F26B11/18;F26B23/04;F26B25/02 |
| 代理公司： | 长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙) 43207 | 代理人： | 彭少波 |
| 地址： | 414000 湖南省岳阳市城*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种晶片清洗方法及系统，属于晶片清洗领域，包括以下步骤：A、药液清洗：使用清洗药液对晶片进行超声清洗，去除晶片表面的微尘和污渍；B、纯水冲洗：使用晶片专用的冲洗设备对晶片的表面进行冲洗，C、腔体清洁：清除晶片表面的药水，D、纯水超音，E、高温除菌，F、晶片烘烤：使用烘烤设备对晶片进行烘烤，通过冲洗的方式对晶片清洗，可以减少水的使用，并且通过冲击式的水流对晶片进行冲洗时，能够使晶片表面残留的药液和微尘、污渍去除的更加干净，对晶片进行烘烤的时候，通过自转的方式使晶片在经过加热区域的时候能够受热均匀，从而能够使晶片在不同的区域呈现出不同的运动状态，以适应在烘烤时的温度的不均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 清洗 方法 系统 | ||
【主权项】：
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