[发明专利]压电谐振红外传感器、其阵列及其制造方法有效
| 申请号： | 202110652579.X | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113566979B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 顾凯;冯立辉;钟海政;罗嘉俊 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学;致晶科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈敏;吴昊 |
| 地址： | 100081 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种压电谐振红外传感器、其阵列及其制造方法。压电谐振红外传感器包括：基底、电极和压电材料，其中，所述压电材料的上表面上形成有量子点薄膜，所述量子点薄膜能响应于红外光照射而加快所述压电材料的温度上升。本发明提高了压电谐振红外传感器对红外光的探测率，降低了噪声，并且实现了对红外光波长的准确探测。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 谐振 红外传感器 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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