[发明专利]二极管电荷模型建立方法及其模型参数萃取方法有效
| 申请号： | 202110626149.0 | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113378371B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 张永明;蔡文必;魏鸿基;林义书 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F111/10 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 连耀忠;李艾华 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二极管电荷模型建立方法及其模型参数萃取方法，包括：基于施加给二极管的偏置电压、主动器件的沟道开启电压和曲线平滑参数，获得调整电压；基于施加给二极管的偏置电压、主动器件的沟道开启电压和所述调整电压，获得沟道开启后的本征二极管的内部偏置电压；基于本征二极管的内部偏置电压和主动器件沟道完全耗尽时的电荷值，获得二极管电荷值；对二极管电荷值进行电压微分，获得二极管电容值。本发明支持基于主动器件(如HEMT、pHEMT等的外延工艺)的二极管的电荷/电容描述，特别是沟道开启带来的电容爬升效应。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 电荷 模型 建立 方法 及其 参数 萃取 | ||
【主权项】：
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