[发明专利]一种电解加工用的纳米尺度多晶硅工具电极及其制备方法有效
| 申请号： | 202110606852.5 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113649657B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 刘国栋;李勇;祝玉兰;佟浩 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B23H3/04 | 分类号： | B23H3/04;B23H3/06;B23H11/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 罗文群 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于特种加工技术领域，尤其涉及一种电解加工用的纳米尺度多晶硅工具电极及其制备方法。本发明采用MEMS领域中的沉积工艺，在图形化牺牲层上沉积尺寸为几十‑几百纳米的图形化多晶硅层，然后对图形化多晶硅层进行掺杂，将图形化牺牲层去除后得到用于纳米电解加工的工具电极。本方法制备的多晶硅工具电极，由于硅材料硬度高，刚度大，在微细尺寸下可以保证不发生形变，加工精度优于金属电极。本发明的晶硅工具电极，加工过程成本低，可重复性好，在微加工领域具有广阔的应用前景。本方法涉及的硅微细加工工艺已经相当成熟，可以进一步缩小工具电极的特征尺寸；通过刻蚀工艺在硅片上得到电解加工用的纳米工具电极，具有大批量制作的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电解 工用 纳米 尺度 多晶 工具 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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