[发明专利]磁阻式随机存取存储器的电路结构与布局结构在审
| 申请号： | 202110598874.1 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN115482852A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 吴奕廷;黄正同;王荏滺;谢咏净;杨伯钧;陈健中;李柏昌 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器的电路结构与布局结构，其中该磁阻式随机存取存储器电路结构中的存储单元具有依序串联的三个晶体管以及四个磁隧穿结，其中第一晶体管与第三晶体管的连接处为第一结点，第二晶体管与第三晶体管的连接处为第二结点，第一晶体管与第三晶体管的另一端连接到一共同的来源线，第一磁隧穿结与第二磁隧穿结串联构成第一磁隧穿结组且一端连接到第一结点，第三磁隧穿结与第四磁隧穿结串联构成第二磁隧穿结组且一端连接到该第二结点。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 电路 结构 布局 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110598874.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
