[发明专利]再生掩模透光基板的处理方法及掩模基版的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110587063.1 申请日: 2021-05-27
公开(公告)号: CN113458609A 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 车翰宣;张雄哲;陈昊 申请(专利权)人: 上海传芯半导体有限公司
主分类号: B23K26/36 分类号: B23K26/36;C23C14/04;C23C14/06;C23C14/35
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 罗泳文
地址: 200120 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供一种再生掩模透光基板的处理方法及掩模基版的制造方法,处理方法包括:1)提供一掩模基版,掩模基版包括透光基板以及位于透光基板上的掩模材料层;2)采用激光照射掩模材料层,使掩模材料层发生升华反应,以将掩模材料层自透光基板上去除,以形成再生掩模透光基板。本发明采用激光去除的方法,利用激光同时去除掩模基版上的光刻胶、金属膜、金属化合物膜等掩模材料,本发明在去除的过程中不需要使用湿法腐蚀溶液,解决了湿法腐蚀费用较高、工艺时间较长及环境污染等问题。本发明通过加工后获得的再生掩模透光基板,具有与原透光基板相同性能,有效实现了透光基板的可循环再利用。
搜索关键词: 再生 透光 处理 方法 掩模基版 制造
【主权项】:
暂无信息
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