[发明专利]一种可调节翘曲的Vcsel外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110572877.8 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113300219A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张新勇;杨绍林;刘浩飞;苑汇帛 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/343;H01S5/34 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 黄宗波 |
| 地址： | 404000 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可调节翘曲的Vcsel外延结构及其制备方法，涉及激光芯片技术领域。本发明的一种可调节翘曲的Vcsel外延结构，包括衬底，所述衬底上依次沉积有缓冲层、N型掺杂的DBR、有源层、氧化限制层、P型掺杂的DBR和欧姆接触层，所述N型掺杂的DBR和P型掺杂的DBR中周期性设置有应力补偿层。本发明公开了一种可调节翘曲的Vcsel外延结构及其制备方法，通过周期性设置的应力补偿层，不仅能够减少整个外延层应力，提高外延层晶体质量，同时还能够降低外延片翘曲，提高外延片各参数的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 vcsel 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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