[发明专利]一种以ITO为基底的铁离子光电传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110564308.9 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113295663B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 胡雪萍;白振钰;宋兴良;刘昊 | 申请（专利权）人： | 临沂大学 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G01N27/30 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 李海霞 |
| 地址： | 276000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明公开一种以ITO为基底的铁离子光电传感器及其制备方法，属于金属离子检测技术领域。本发明铁离子光电传感器，包括改性荧光材料和ITO基底两部分。通过对ITO进行修饰，将4甲基伞形酮和壳聚糖改性的异硫氰酸荧光素材料固化在ITO的表面，构建兼具荧光性能和电化学性能的“一体两用”铁离子传感器。结合荧光分析的可视化及电化学分析灵敏快速的优势，利用电极的荧光特性实现对水体铁离子的可视化浓度判定。结果表明，该传感器对Fe |
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| 搜索关键词： | 一种 ito 基底 离子 光电 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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