[发明专利]柔性铌酸锂薄膜脑电检测芯片及装置在审
| 申请号： | 202110536669.2 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113261968A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 华平壤;丁宁 | 申请（专利权）人： | 派尼尔科技（天津）有限公司 |
| 主分类号： | A61B5/291 | 分类号： | A61B5/291;A61B5/25;A61B5/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300000 天津市滨海新区经济技*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供柔性铌酸锂薄膜脑电检测芯片及装置，该芯片包括：柔性铌酸锂基底，柔性铌酸锂基底上制作有光波导以及共面行波电极；柔性支撑层，用于为柔性铌酸锂基底提供支撑；柔性支撑层表面设置有电极，共面行波电极与该电极电连接。发明中，柔性铌酸锂基底以及柔性支撑层具有柔性，能够更好地和人脑表面贴合；柔性支撑层和人脑表面贴合，柔性支撑层的电极与人脑电接触，电极采集到脑电信号，传输到铌酸锂基底上的共面行波电极上，在共面行波电极间形成微弱的电场，引起柔性铌酸锂基底折射率发生变化，光从光波导传输经过折射率发生变化的调制区域，光程发生改变，在输出时的相位发生变化；由于远距离传输是使用的光传输，不易受到电磁干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 铌酸锂 薄膜 检测 芯片 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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