[发明专利]基于MOS管堆叠扩展结构的逻辑门电路有效
| 申请号： | 202110525351.4 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113395067B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 杜世民;杨润萍;孙乐鸣;韩金亮 | 申请（专利权）人： | 宁波大学科学技术学院 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 | 代理人： | 方小惠 |
| 地址： | 315212 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于MOS管堆叠扩展结构的逻辑门电路，包括上拉网络、下拉网络、栅极反馈NMOS堆叠模块和并联PMOS模块组，上拉网络包括n个并联的PMOS管，下拉网络由n个NMOS管串联构成，栅极反馈NMOS堆叠模块由n‑1个NMOS管构成，并联PMOS模块组由n‑1个结构不同的并联PMOS模块构成，其中第j个并联PMOS模块由j个PMOS管构成，下拉网络、栅极反馈NMOS堆叠模块和并联PMOS模块组构成的施密特触发电路；优点是在亚阈值区既具有较低的漏电流和延时，又具有较高的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mos 堆叠 扩展 结构 逻辑 门电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波大学科学技术学院，未经宁波大学科学技术学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110525351.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：安全带检测方法
- 下一篇：一种基于气象领域的知识图谱构建方法
