[发明专利]基于硅通孔技术的三维MIM电容器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110468327.1 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113206196A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 温嘉鸣;周亮;张成瑞 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于硅通孔技术的三维MIM电容器及其制备方法，三维MIM电容器包括硅衬底，所述硅衬底上刻蚀盲孔阵列，所述硅衬底表面和盲孔内壁沉积绝缘层，所述绝缘层上依次制作有第一金属层、介质层、第二金属层和种子层，所述盲孔内填充有金属材料作为硅通孔金属层。制备方法包括：采用干法刻蚀技术在硅片表面形成深孔，采用等离子化学气相沉积技术制作绝缘层，采用磁控溅射技术制作种子层，采用电镀工艺对孔进行铜填充，采用化学机械抛光去除多余的铜。本发明有效解决了传统二维MIM电容的电容密度较低的问题，实现了三维MIM电容的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硅通孔 技术 三维 mim 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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