[发明专利]一种优化腐蚀终止层的980nm半导体激光器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110461647.4 申请日: 2021-04-27
公开(公告)号: CN115249946A 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 刘飞;朱振;张东东 申请(专利权)人: 山东华光光电子股份有限公司
主分类号: H01S5/323 分类号: H01S5/323;H01S5/34;H01S5/343;C23C16/30
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 陈桂玲
地址: 250101 山东省济*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及一种优化腐蚀终止层的980nm半导体激光器及其制备方法。所述激光器包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、Inx3Ga1‑x3As第一量子阱、垒层、Inx5Ga1‑x5As第二量子阱、上波导层、第一上限制层、GaAs1‑x8Px8第一过渡层、Ga1‑x9Inx9P腐蚀终止层、GaAs1‑x10Px10第二过渡层、第二上限制层和帽层。本发明通过第一过渡层及第二过渡层优化腐蚀终止层与限制层生长界面,减少As/P切换引入的缺陷,导致材料生长质量变差,同时压应变GaInP与张应变GaAsP应变补偿,优化材料生长质量,提高激光器光电转换效率。
搜索关键词: 一种 优化 腐蚀 终止 980 nm 半导体激光器 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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