[发明专利]一种InGaAs高应变变温量子阱大功率激光器外延片及其制备方法

摘要

本发明提供一种InGaAs高应变变温量子阱大功率激光器外延片及其制备方法。本发明激光器外延片,由下至上依次包括：衬底、缓冲层、下限制层、波导层1、Iny1Ga1‑y1As过渡层、GaAs过渡层1、Iny2Ga1‑y2As过渡层、GaAs过渡层2、Iny3Ga1‑y3As量子阱、GaAs过渡层3、Iny4Ga1‑y4As过渡层、GaAs过渡层4、Iny5Ga1‑y5As过渡层、波导层2、上限制层、表层。本发明激光器外延片结构以及生长方法能够为量子阱生长提供一个良好的界面，降低了量子阱材料中杂质含量，形成了稳定的二维生长，同时充分释放了量子阱应力，实现高质量InGaAs高应变量子阱外延材料的生长，进而实现了激光器的高功率，高效率，高可靠性输出。