[发明专利]三维存储器件有效
| 申请号： | 202110441250.9 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN112951838B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 陈俊;朱继锋;吕震宇;胡禺石;董金文;姚兰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/20 | 分类号： | H10B41/20;H10B43/20;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张殿慧;刘健 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了三维(3D)存储器件的实施例。在示例中，3D存储器件包括衬底、设置在衬底上的外围设备、设置在外围设备之上并包括多个导体/电介质层对的存储堆叠层、以及多个存储器串。每个存储器串垂直延伸穿过存储堆叠层，并且包括漏极选择栅和漏极选择栅之上的源极选择栅。在存储堆叠层的阶梯结构中的沿着远离衬底的垂直方向的导体/电介质层对的边缘朝向存储器串横向交错排列。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110441250.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种阻燃克拉管及其制备方法
- 下一篇：一种音视频语音增强处理方法及模型
