[发明专利]基于g-C3有效

专利信息
申请号: 202110403800.8 申请日: 2021-04-15
公开(公告)号: CN113117720B 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 李明春;郭银彤;任龙 申请(专利权)人: 沈阳工业大学
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24;B01J35/10;B01J37/08;C02F1/30;C02F101/34;C02F101/38
代理公司: 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 代理人: 王聪耀
地址: 110870 辽宁省沈阳*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种基于g‑C3N4的TiO2晶粒堆积贯通孔复合结构,基底g‑C3N4粉体轻盈蓬松,具有多维方向上均匀分布的贯通孔隙结构,贯通孔隙结构的孔壁厚度为20‑40nm,贯通孔隙结构的孔道直径范围100‑200nm;尺寸为10‑20nm的TiO2纳米晶粒均匀分布在贯通孔隙结构的多维孔壁上形成g‑C3N4/TiO2复合层结构,g‑C3N4/TiO2复合层结构的厚度30‑50nm,由TiO2晶粒堆积形成的多维贯通孔隙结构g‑C3N4/TiO2具有0.5‑1.5nm的微孔、2‑4nm和25‑45nm的介孔,以及90‑200nm大孔。本发明解决了现有复合材料中比表面积小,活性位点少,催化活性低,现有技术中的制备方法过程复杂、成本高、形貌难以控制等问题。
搜索关键词: 基于 base sub
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