[发明专利]一种用于补偿LDO输出极点的前馈补偿方法和电路有效
申请号: | 202110403116.X | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN112987837B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 耿翔 | 申请(专利权)人: | 上海南芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/625 | 分类号: | G05F1/625 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 200120 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种用于补偿LDO输出极点的前馈补偿方法和电路,设置采样电路用于采样LDO的NMOS功率管的栅极电压,从而获得采样信号,将所述采样信号通过一个带通滤波电路后反馈到LDO的输出电压经过分压网络后获得的反馈电压中,反馈电压和参考电压进行误差放大后用于控制NMOS功率管的栅极电压。本发明利用前馈补偿形成一个固定的增益和相位,再与LDO本身功率管回路的增益并联之后,就可以得到和功率管回路输出极点相关的零点,能够实现相位裕度不会随着输出极点的衰减而衰减,不仅能够补偿LDO负载电阻的变化,也能够补偿LDO负载电容的变化;同时本发明能够适应NMOS功率管的LDO,且整体结构简单,易于实现。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 补偿 ldo 输出 极点 方法 电路 | ||
【主权项】:
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