[发明专利]基于Au@MoS2有效

专利信息
申请号: 202110395520.7 申请日: 2021-04-13
公开(公告)号: CN113125385B 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 张勇;陈佩;胡金勇;曹觉先 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: G01N21/552 分类号: G01N21/552;B82Y15/00;B82Y40/00
代理公司: 南京行高知识产权代理有限公司 32404 代理人: 王菊花
地址: 411105 湖南省湘潭市雨湖区*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明提供一种基于Au@MoS2的局域表面等离子体增强NO2气体传感器及制备方法,包括以下步骤:制备MoS2纳米片,所述MoS2纳米片具有六方结构;采用Au纳米粒子对MoS2纳米片进行修饰,得到异质结构的Au@MoS2;以及以异质结构的Au@MoS2作为敏感材料制备气体传感器;将所述气体传感器固定设置在检测盒的第一腔体内;在所述检测盒的第二腔体内设置光源,用于在检测时面向所述气体传感器发出530 nm波长范围的光,提供光辅助环境,并设置有用于供气体流过的通道。本发明制备的气体传感器,通过引入金纳米粒子的局域表面等离子体共振效应,制备的NO2气体传感器检测限低、抗湿干扰性强,且稳定性且恢复率均优于传统传感器。
搜索关键词: 基于 au mos base sub
【主权项】:
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