[发明专利]在晶圆级别集成的VCSEL器件和VCSEL器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110384442.0 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN115207771A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 郭铭浩;王立;李念宜 | 申请（专利权）人： | 浙江睿熙科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/20;H01S5/042 |
| 代理公司： | 宁波市道同知识产权代理有限公司 33478 | 代理人： | 谢华 |
| 地址： | 311113 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件和VCSEL器件的制备方法。其中，所述VCSEL器件在晶圆级别上集成了VCSEL激光器和用于调制VCSEL激光器出射的激光的光学元件。在所述VCSEL器件的制备过程中，VCSEL激光器和光学元件之间在晶圆级别实现相对较为精准地定位，以使得最终成型的所述VCSEL器件中所述VCSEL激光器和所述光学元件之间具有相对较高的定位精度。 | ||
| 搜索关键词： | 级别 集成 vcsel 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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