[发明专利]基于微流控型双光子激光直写技术的超长三维纳米光纤制备系统及方法有效

专利信息
申请号: 202110368228.6 申请日: 2021-04-06
公开(公告)号: CN113031149B 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 魏鹤鸣;吴彰理;方清华;张保;庞拂飞;王廷云 申请(专利权)人: 上海大学;清华大学
主分类号: G02B6/02 分类号: G02B6/02
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 郑海峰
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种基于微流控型双光子激光直写技术的超长三维纳米光纤制备系统及方法,属于光学微纳米结构制备技术领域。该系统包括三维打印装置、光学成像装置和控制器;将设计好的纳米光纤导入控制器中,通过光学成像装置对打印的纳米光纤进行实时监测,并且调整激光聚焦位置;三维打印装置将聚焦后的飞秒激光照射至空芯光纤中的光敏复合材料,引发双光子聚合为纳米光纤,在泵的驱动下,纳米光纤随着光敏复合材料流动至显影腔体内,在显影液作用下,去除多余未聚合光敏复合材料,留下来制备好的纳米光纤。本发明发明采用微流控双光子直写技术,能够制备超长且具有复杂曲率的三维纳米光纤。
搜索关键词: 基于 微流控型双 光子 激光 技术 超长 三维 纳米 光纤 制备 系统 方法
【主权项】:
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