[发明专利]一种基于MoS2有效

专利信息
申请号: 202110338872.9 申请日: 2021-03-30
公开(公告)号: CN113113535B 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 王芳;梁安阁;张楷亮;张力方;单欣;林欣;胡凯;袁育杰 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: H10N70/20 分类号: H10N70/20
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 刘书元
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种基于MoS2的全固态电解质忆阻器及其制备方法,属于电子制备工艺以及类脑计算领域,首先选用MoS2作为沟道材料,MoS2通过ALD和CVD相结合的方法来制备,选用锂盐作为固态电解质,使用磁控溅射的方法来制备固态电解质层,使用电子束蒸发和磁控溅射等方法来制备电极。通过栅端电场调制锂离子的嵌入和脱出改变二硫化钼的能带结构,同时源漏两端施加读取电压得到沟道电导的变化,使得忆阻器件具有良好的电导更新线性度和更低的操作功耗,可以应用于新一代神经形态计算。利用上述的器件结构已经制备出相应的全固态电解质忆阻器,在脉冲激励下,实现了良好的电导更新对称性和近98%的电导线性度,同时器件具有105以上的耐久性。
搜索关键词: 一种 基于 mos base sub
【主权项】:
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