[发明专利]一种1英寸锗加工片的抛光方法有效
申请号: | 202110327310.4 | 申请日: | 2021-03-26 |
公开(公告)号: | CN113146451B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 端平;曾琦;江云;刘兴达;胡丽平;柯尊斌;王卿伟 | 申请(专利权)人: | 中锗科技有限公司 |
主分类号: | B24B29/02 | 分类号: | B24B29/02;B24B49/00;B24B41/06;B24B57/02 |
代理公司: | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人: | 李建芳 |
地址: | 211299 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种1英寸锗加工片的抛光方法,所用抛光液中的氯含量5.5~6.0g/L,pH值为10.0~10.2;抛光为先粗抛、后精抛,粗抛时,陶瓷盘和大盘的转速均为38~42rpm,抛光液的喷洒量为1500‑2000ml/min;精抛时,陶瓷盘和大盘的转速均为38~42rpm,抛光液的喷洒量为800‑1200ml/min;粗抛和精抛时,转头对陶瓷盘施加的向下的压力均为1000‑1200N。本发明1英寸锗加工片的抛光方法,提高了掉量速率,提高了抛光效率和抛光质量;减少了药液消耗,降低了抛光液成本;降低了跑片几率,提高了抛光的稳定性,提高了设备利用效率;提高了成品率,产品的平整度提高,均匀性好,晶片表面损伤小,抛光后杂质、颗粒粘污少,容易清洗。 | ||
搜索关键词: | 一种 英寸 加工 抛光 方法 | ||
【主权项】:
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