[发明专利]一种应力诱导提高薄膜应用频率的薄膜制备方法在审

专利信息
申请号: 202110324972.6 申请日: 2021-03-26
公开(公告)号: CN113088894A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 孙科;张婧;何宗胜;邬传健;余忠;蒋晓娜;兰中文 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32;C23C14/54
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种利用应力诱导提高软磁薄膜应用频率的制备方法,属于薄膜制备技术领域。包括:1)清洗柔性衬底;2)清洗后的柔性衬底放入高真空电子束蒸发系统,柔性衬底弯曲后固定在样品架上;3)抽真空,开始预熔料,电子枪的电流为30~40mA,电压为10kV,时间为4~5min;预熔料结束后,蒸镀速率为0.1~0.7nm/s,在弯曲的柔性衬底上沉积软磁薄膜。本发明制得的软磁薄膜,当柔性衬底由凹形(凸形)变为平整时,会在薄膜中引入张应力(压应力),与未引入应力相比,由于磁致伸缩效应,软磁薄膜表现出明显的磁各向异性,使得薄膜的应用频率提高至1GHz以上,并同时保持较高的磁导率(μ′100MHz1000)。
搜索关键词: 一种 应力 诱导 提高 薄膜 应用 频率 制备 方法
【主权项】:
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