[发明专利]基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器及其制作方法在审
| 申请号： | 202110320691.3 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113410647A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 潘武;沈涛;马勇;李燚;张雪雯;杨力豪 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;H01Q17/00 |
| 代理公司： | 重庆市恒信知识产权代理有限公司 50102 | 代理人： | 陈栋梁 |
| 地址： | 400065 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明请求保护一种基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器及其制作工艺，其包括：若干呈周期排列的正方形周期单元，该正方形周期单元共有三层，由上至下分别是金属图案层、中间介质层、金属反射层，金属图案层紧贴在中间介质层的表面，金属反射层设置在中间介质层的底部，形成类似三明治结构；所述金属图案层由方形金属开口环、方形金属片和金属条构成，所述方形金属开口环的开口设置在四个顶点位置处，方形金属片设置在方形金属开口环内部且同轴同心，且方形金属片通过金属条与方形金属开口环相连接。本发明提出的太赫兹窄带吸收器结构简单、紧凑、完美对称、易于实现、品质因数高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 材料 结构 赫兹 双频 窄带 吸收 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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