[发明专利]铜/氧化亚铜催化剂、痕量Ag修饰的铜/氧化亚铜催化剂、制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 202110246359.7 申请日: 2021-03-05
公开(公告)号: CN115029723A 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 苏婉瑜;杨辉;马路山;胡维波;方建慧 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C25B11/091 分类号: C25B11/091;C25B11/052;C25B11/032;C25B3/26;C25B3/03;C25B3/07;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 朱凌娇;许亦琳
地址: 200436*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种铜/氧化亚铜催化剂、痕量Ag修饰的铜/氧化亚铜催化剂、制备方法及应用,以硼烷络合物等为还原剂,采用液相化学法制备Cu/Cu2O催化剂,在一定温度范围、常压条件下制备得到纳米多孔结构的Cu/Cu2O催化剂,该多孔结构是由粒径分布较为均一的颗粒堆积得到的,制备方法简单;制备的痕量Ag修饰的Cu/Cu2O催化剂,其表面修饰的银高度分散,且过程简单,Ag含量易于控制。制备得到的痕量Ag修饰的Cu/Cu2O催化剂表现出优异的电化学CO2还原性能、C2H5OH和C2H4选择性、能够实现工业级电流密度电解与催化稳定性;本发明可实现Cu基催化剂电催化CO2还原制备乙醇,C2H4等C2+化学品的工业化应用。
搜索关键词: 氧化亚铜 催化剂 痕量 ag 修饰 制备 方法 应用
【主权项】:
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