[发明专利]一种硅纳米线基柔性自支撑电极材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110246206.2 申请日: 2021-03-05
公开(公告)号: CN115036496A 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 王志;陆继军;刘俊昊;钱国余;公旭中 申请(专利权)人: 中国科学院过程工程研究所
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;H01M4/04;H01M4/66;H01M10/0525;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种硅纳米线基柔性自支撑电极材料及其制备方法,属于二次资源利用的技术领域。该方法是以光伏产业晶体硅切割废硅粉为硅源,柔性碳纤维布为基底,通过高温快速电致热冲击过程在基底上原位生长硅纳米线。所述的制备方法包括以下步骤:(1)将微米级的切割废硅粉制成均匀分散的悬浊液;(2)将柔性碳布浸泡在步骤(1)的悬浊液中;(3)取出碳布在干燥设备中进行处理;(4)将负载废硅粉的碳布进行电致热冲击在柔性碳布基底上原位生长硅纳米线。将获得的生长硅纳米线的碳布作为自支撑电极材料用于锂离子电池负极时,具有高容量和优异的循环稳定性。本发明以切割废硅粉为原料、碳布为基底制备硅纳米线高负载的柔性自支撑电极材料,解决传统金属为集流体生长硅纳米线时低负载、纯度低的问题,并且发明的制备过程短程、绿色、成本低,用于制备高能量密度锂离子电池负极材料具有广阔的前景。
搜索关键词: 一种 纳米 柔性 支撑 电极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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