[发明专利]一种晶圆中切割槽的形成方法及晶圆的制作方法在审
| 申请号： | 202110244395.X | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN115008020A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 陆元欣;李作胜;殷昌荣 | 申请（专利权）人： | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/362 | 分类号： | B23K26/362;B23K26/402;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 尹秀 |
| 地址： | 201199 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种晶圆中切割槽的形成方法及晶圆的制作方法，包括：利用第一激光光束，依次对晶圆的预设位置进行至少两次激光刻蚀，在晶圆的预设位置形成开槽，预设位置为晶圆中第一区域的边界位置，第一区域为晶圆中待形成切割槽的区域；去除晶圆中第一区域的部分，在晶圆中形成切割槽。本申请实施例所提供的形成方法，通过依次对晶圆的预设位置进行至少两次激光刻蚀，来形成切割槽，从而使得每次激光刻蚀时所采用的第一激光光束的能量较低，减小在晶圆中的上面膜层还没被刻穿时传递到下面膜层的激光能量，进而减小在晶圆中的上面膜层还没被刻穿时，下面膜层发生融化或汽化，产生熔渣的概率，提高切割良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆中 切割 形成 方法 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海艾为电子技术股份有限公司，未经上海艾为电子技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110244395.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：钢化双银镀膜玻璃
- 下一篇：一种有关合成氯化石蜡的生产方法
