[发明专利]光激发磁传感器及光激发磁测定方法在审
| 申请号： | 202110233766.4 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113359068A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 山田将来;武宫孝嗣 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够扩大可测定的磁力频段的光激发磁传感器，其具备：封入有碱金属的容器；产生泵浦光的泵浦光源；产生探测光的探测光源；基于通过容器之后的探测光，得到与容器接受到的磁力相关的输出信号的信号输出单元；使容器的配置区域产生沿着泵浦光轴的静磁场的线圈单元；控制线圈单元的动作的计算机。计算机输出将静磁场的强度设定成第一强度的第一控制信号和将静磁场的强度设定成与第一强度不同的第二强度的第二控制信号。 | ||
| 搜索关键词： | 激发 传感器 测定 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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