[发明专利]一种高储能密度聚合物及基于场排列制备其的方法有效
| 申请号： | 202110187985.3 | 申请日： | 2021-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN112920531B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张洁;赵枫婉;史鹏;张易军;庄建;任巍 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K9/12;C08K3/04;C08K3/22;C08K7/00;C08K3/38;C08J5/18;C08J7/00;C08J7/12;B32B27/30;B32B27/20;B32B27/06;B32B37/06;B32B37/10 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 崔方方 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高储能密度聚合物及基于场排列制备其的方法，属于高储能密度复合材料技术领域。本发明中，碳纳米管表面沉积均匀超薄的氧化铝绝缘层，将其均匀添加到聚合物基体中，随后利用场排列技术使碳纳米管在聚合物基体中定向排列，在提高聚合物基体的介电常数的同时保持其相对较高的击穿强度；另外，向聚合物中添加氮化硼纳米片以增加聚合物基体的击穿强度；通过热压技术将高耐压层和高介电层结合在一起，获得同时具有高介电和高击穿的聚合物薄膜。不同于其他单纯地提高介电常数或者提高击穿强度从而提高聚合物储能密度的方法，本发明通过复合多层膜，使得聚合物薄膜同时具有高介电和高击穿性能，在较低的电场下就能获得更高的储能密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高储能 密度 聚合物 基于 排列 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110187985.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种口腔酸蚀剂及其制备方法、应用
- 下一篇：一种多功能热泵装置
