[发明专利]三维存储器件及用于形成三维存储器件的方法有效
| 申请号： | 202110184782.9 | 申请日： | 2020-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112701121B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 吴振勇 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张殿慧;刘健 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了3D存储器件以及用于形成3D存储器件的方法的实施例。在一示例中，3D存储器件包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的基板。该3D存储器件还包括存储堆叠，该存储堆叠包括在基板的第一侧的交错的导电层和介电层。该3D存储器件还包括多个沟道结构，各沟道结构垂直地延伸穿过存储堆叠。该3D存储器件还包括第一绝缘结构，该第一绝缘结构垂直地延伸穿过存储堆叠，并且横向地延伸以将所述多个沟道结构分离成多个块。该3D存储器件还包括在基板中并且与第一绝缘结构相接触的第一掺杂区。该3D存储器件还包括从基板的第二侧垂直地延伸以与第一掺杂区相接触的第一触点。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
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