[发明专利]基于二极管的非线性响应MRI图像增强超构表面器件在审
申请号: | 202110183928.8 | 申请日: | 2021-02-10 |
公开(公告)号: | CN114910851A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 赵乾;池中海;孟永钢;郑卓肇;易懿;王亚魁 | 申请(专利权)人: | 清华大学;北京清华长庚医院 |
主分类号: | G01R33/36 | 分类号: | G01R33/36 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 魏朋 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请涉及基于二极管的非线性响应MRI图像增强超构表面器件,具体为磁场增强组件和磁场增强器件,磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第四电极层和第一开关控制电路。第一电介质层包括相对的第一表面和第二表面。第一电极层设置于第一表面。第二电极层和第四电极层设置于第二表面。第一电极层分别与第二电极层和第四电极层在第一电介质层的正投影具有重叠部分。第一开关控制电路的两端分别与第一电极层和第二电极层连接。第一开关控制电路用于在射频发射阶段导通,在射频接收阶段断开。第一开关控制电路用于在射频发射阶段导通,在射频接收阶段断开。在射频发射阶段能够有效降低磁场增强对人体的不良影响,同时能够消除磁场增强组件干扰射频发射场的图像的伪影。 | ||
搜索关键词: | 基于 二极管 非线性 响应 mri 图像 增强 表面 器件 | ||
【主权项】:
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