[发明专利]磁场增强组件和磁场增强器件在审
| 申请号： | 202110183919.9 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN114910841A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 赵乾;池中海;孟永钢;郑卓肇;王亚魁;易懿 | 申请（专利权）人： | 清华大学;北京清华长庚医院 |
| 主分类号： | G01R33/34 | 分类号： | G01R33/34;G01R33/44 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 魏朋 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件，所述第三开关控制电路用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。在射频发射阶段，所述磁场增强组件所在回路的谐振频率偏离磁共振系统工作频率较远，因此通过设置合适的所述第五外接电容和所述第四外接电容，能够保证在磁共振系统的射频发射阶段，有无所述磁场增强组件时磁场强度相同。此时受测区域保持原来的磁场强度，能够有效降低磁场增强对人体的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 增强 组件 器件 | ||
【主权项】：
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