[发明专利]一种MRI图像增强超构表面阵列单元组件在审

专利信息
申请号: 202110183909.5 申请日: 2021-02-10
公开(公告)号: CN114910853A 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 赵乾;池中海;孟永钢;郑卓肇;易懿;王亚魁 申请(专利权)人: 清华大学;北京清华长庚医院
主分类号: G01R33/38 分类号: G01R33/38;G01R33/34
代理公司: 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 代理人: 魏朋
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件,具体为一种MRI图像增强超构表面阵列单元组件。第一电极层和所述第二电极层相对设置的部分构成所述第一结构电容。所述第一电极层和所述第二电极层在所述第一电介质层的正投影不重叠的部分可以作为传输导线,起到等效电感的作用。所述第一结构电容和所述等效电感可以形成LC振荡电路。用在谐振频率较低的场合时,具有较小容值的所述第一结构电容就能使得所述磁场增强组件所在回路的谐振频率降低到磁共振系统射频线圈的频率,从而能够有效提高磁场强度。
搜索关键词: 一种 mri 图像 增强 表面 阵列 单元 组件
【主权项】:
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