[发明专利]掩模基版的制造方法及制造设备在审
| 申请号： | 202110174815.1 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN113005410A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 车翰宣 | 申请（专利权）人： | 上海传芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种掩模基版的制造方法及制造设备，制造方法包括：提供透光石英基板；在透光石英基板上沉积包括氮化铬(CrN)的遮光膜；在遮光膜上沉积包括氮氧化铬(CrON)的防反射膜；遮光膜及防反射膜通过溅射沉积工艺沉积，溅射沉积工艺以氩气和氦气共同对靶材进行轰击，以实现遮光膜与防反射膜的沉积。本发明通过将部分大分子量的氩气替换为小分子量的氦气对靶材进行轰击，一方面，氦气与氩气共同管轰击靶材，可以精细地控制铬的沉积量，从而大大提高遮光膜及防反射膜的厚度均匀度。另一方面，降低了轰击能量，可以避免靶材温度过高而产生异常放电的情况，从而控制靶材溅射出来的颗粒数。 | ||
| 搜索关键词： | 掩模基版 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
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