[发明专利]一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法在审
| 申请号： | 202110124947.3 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112786097A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 蒋书斌;曹成 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 赵玉凤 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法，本方法首先确定其他因素对擦除时间的干扰，根据确定的其他因素，设置不同的对照组。对不同对照组进行多次擦写操作，每次的写入量保持与之前的写入量相同，并记录擦除时间。将每个对照组，多次擦写的擦除时间计算平均值，并记录数据整理到表格里。基于表格，分析写入量对擦除时间的影响，判断NAND Flash自身是否对浅擦除的块先写无效数据再擦除。本发明可以判断在用户下发擦除命令后，NAND Flash内部是否对浅擦除的块进行写无效数据的处理，用户可根据结论判断是否还需要对浅擦除的块写无效数据，从而避免无效冗余操作，提升NAND访问效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 擦除 时间 判断 nand flash 处理 方法 | ||
【主权项】：
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