[发明专利]磁存储装置在审
| 申请号： | 202110101848.3 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114267785A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 板井翔吾;大坊忠臣;伊藤雄一;小松克伊 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够进行稳定的读出动作的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备磁阻效应元件(40)及二端子型开关元件，所述磁阻效应元件(40)具备：第1磁性层(41)，具有固定的磁化方向；第2磁性层(42)，具有固定的磁化方向；第3磁性层(43)，设置在第1磁性层与第2磁性层之间，具有可变的磁化方向；第1非磁性层(46)，设置在第1磁性层与第3磁性层之间；以及第2非磁性层(47)，设置在第2磁性层与第3磁性层之间；所述二端子型开关元件相对于磁阻效应元件串联连接，当施加在两端子间的电压达到阈值电压以上时，从非电导通状态变成电导通状态。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
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