[发明专利]一种GaAs E/D工艺低功耗反相器电路在审
| 申请号： | 202110092387.8 | 申请日： | 2021-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN112865783A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 梅连峰;黄军恒 | 申请（专利权）人： | 合肥芯谷微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 朱世新 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新区创新大*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaAs E/D工艺低功耗反相器电路，Vin为TTL控制逻辑电平，经过6个二极管降压，将TTL逻辑控制信号转化为能够满足GaAs E管打开或关断需求的高低电平的‑4/‑5V。电位平移末端的D管(DM1)漏极与第一级反相中的E管(EM3)栅极相连，第一级输出(Vout1)连接一个栅极和源极相连的E管(EM4)漏极接到第二级反相中的E管(EM6)栅极，并通过E管(EM6)漏极作为第二级输出(Vout2)。最终得到一对互补的差分信号，输出高低电平分别为0/‑4.95V，能够满足GaAs开关打开或关断的需求。其中D管(DM2)、D管(DM5)的栅极和源极互连构成恒流源，并通过堆叠结构以及串联电阻的方式降低静态功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 工艺 功耗 反相器 电路 | ||
【主权项】：
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