[发明专利]磁存储装置在审
| 申请号： | 202110080021.9 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114267784A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 都甲大;杉山英行;及川壮一;中山昌彦 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够稳定地存储数据的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备磁阻效应元件，所述磁阻效应元件具备具有可变磁化方向的第1磁性层、具有可变磁化方向的第2磁性层、具有固定磁化方向的第3磁性层、及非磁性层，所述第1磁性层设置在所述第2磁性层与所述第3磁性层之间，所述非磁性层设置在所述第1磁性层与所述第3磁性层之间，所述第2磁性层具有第1元素形成的第1元素层与第2元素形成的第2元素层交替地积层而成的超晶格结构，所述第1元素是钴(Co)，所述第2元素从铂(Pt)、镍(Ni)及钯(Pd)中选择，且所述第2磁性层含有铬(Cr)作为第3元素。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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