[发明专利]一种SiO2在审

专利信息
申请号: 202110064259.2 申请日: 2021-01-18
公开(公告)号: CN112619655A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 尹若谷;张继斌;张爱娟 申请(专利权)人: 武汉梓强生态科技有限公司
主分类号: B01J23/80 分类号: B01J23/80;B01J35/10;C02F1/30;C02F101/30
代理公司: 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 代理人: 李明香
地址: 430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及光触媒技术领域,且公开了一种SiO2负载Cu2O‑ZnO异质结光催化降解材料,以正硅酸乙酯为硅源制备的介孔SiO2表面的羟基,可以与均苯三甲酰氯反应,生成酰氯化SiO2,其与2‑氨基‑5‑巯基‑1,3,4‑噻二唑反应,生成巯基化SiO2,硫酸铜与氢氧化钠以及水合肼反应,形成了氧化亚铜空心球,镉以正二价的形式掺杂进氧化亚铜的晶格中,产生了杂质能级,减小了氧化亚铜的禁带宽度,醋酸锌与氢氧化钠生成氧化锌晶核,在表面活性剂的作用下组装成氧化锌纳米花,氧化亚铜和氧化锌可以形成p‑n型异质结,当受到光辐射时,氧化亚铜的电子转移到氧化锌的导带上,氧化锌的空穴会转移到氧化亚铜的价带上,实现了光生电子和空穴的分离。
搜索关键词: 一种 sio base sub
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉梓强生态科技有限公司,未经武汉梓强生态科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110064259.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top