[发明专利]一种纳米有机硅成膜疏水页岩表面水化抑制剂及其制备方法与应用有效
申请号: | 202110064041.7 | 申请日: | 2021-01-18 |
公开(公告)号: | CN112877041B | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 孙金声;黄贤斌;李贺;吕开河;刘敬平;金家锋;王金堂;白英睿 | 申请(专利权)人: | 中国石油大学(华东) |
主分类号: | C09K8/03 | 分类号: | C09K8/03;C09K8/16;C09K8/22 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 王素平 |
地址: | 266580 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供了一种纳米有机硅成膜疏水页岩表面水化抑制剂及其制备方法与应用,所述抑制剂是通过使用长链有机硅和表面活性剂对纳米颗粒进行疏水改性得到的。上述疏水页岩表面水化抑制剂的制备方法,包括步骤:搅拌条件下,将纳米颗粒加入溶剂中,之后进行超声分散;待超声结束后,调节体系的pH至9‑11,得到混合液A;将有机硅溶液滴加至混合液A中,搅拌进行反应,得到混合液B;将表面活性剂加入混合液B中,搅拌进行反应;反应完成后除去部分溶剂,即得。本发明的抑制剂使用有机硅和表面活性剂双重疏水改性,疏水效果优异,从而具有优异抑制性能、减缓岩石抗压强度性能以及抗温性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 有机硅 疏水 页岩 表面 水化 抑制剂 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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