[发明专利]光刻胶倒梯形结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110059558.7 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112882343A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 林大野;蔡钦铭;王治中 | 申请（专利权）人： | 广州爱思威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 谢阅 |
| 地址： | 510000 广东省广州市南沙区万顷*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种光刻胶倒梯形结构的形成方法，所述光刻胶倒梯形结构的形成方法包括以下步骤：在基板上涂覆正性光刻胶，形成胶层；将所述胶层划分为光阻区和暴露区，得到待光刻结构，其中，所述光阻区在朝向所述基板的方向上渐宽设置，所述暴露区在朝向所述基板的方向上呈渐窄设置；对设有所述待光刻结构进行处理，以使所述暴露区转化为碱性不可溶结构，得到半成品；将所述光阻区转化为碱性可溶结构后，显影除去所述光阻区，得到光刻胶倒梯形结构。本发明提供的光刻胶倒梯形结构的形成方法旨在解决现有光刻胶倒梯形结构制备方法难以控制坡度的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 梯形 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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